數(shù)字式四探針測(cè)試儀/四探針測(cè)試儀/數(shù)字式四探針檢測(cè)儀 型號(hào)：HHY8-SZT-2000
HHY8-SZT-2000型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是根據(jù)四探針測(cè)試原理研究成的多用途的綜合測(cè)量裝置，它可以測(cè)量棒狀、塊狀
半導(dǎo)體材料的電阻率和半導(dǎo)體擴(kuò)散層的薄層電阻行測(cè)量，可以從10-6--105Ω—cm量程范圍檢測(cè)硅的片狀、棒狀材料的電阻、薄層電阻，是硅材料質(zhì)量監(jiān)測(cè)的需儀器。
儀器為臺(tái)式結(jié)構(gòu)，分為電氣箱、測(cè)試架兩大分，用戶可以根據(jù)測(cè)試需要安放在般作臺(tái)或者用作臺(tái)上，測(cè)試架由探頭及壓力傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、樣品架組成，耐磨和使用壽命長(zhǎng)的點(diǎn)。探頭內(nèi)設(shè)有彈簧壓力裝置，壓力從0—2Kg連續(xù)可調(diào)，測(cè)試架設(shè)有手動(dòng)和電動(dòng)兩種裝置供用戶選購(gòu)。
儀器電氣箱主要由靈敏的直流數(shù)字電壓表和穩(wěn)定的恒流源組成，測(cè)量結(jié)果由數(shù)字直接顯示，儀器有自校量程，可以方便地對(duì)儀器的電氣性能行校驗(yàn)。
儀器具有測(cè)量精度、靈敏度、穩(wěn)定性好、測(cè)量范圍廣、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等點(diǎn)，儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、器件廠、科學(xué)研究門、等院校，對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試及藝檢測(cè)。
儀器主要術(shù)標(biāo)：
1． 范圍：電阻率10-4—103Ω—cm，可擴(kuò)展至105Ω—cm，分辯率為10-6Ω—cm
方塊電阻10-3—103Ω /□
電阻10-6—105Ω
2． 可測(cè)半導(dǎo)體尺寸：直徑Φ15—150mm
3． 測(cè)量方式：軸向、斷面均可（手動(dòng)測(cè)試架）
4． 數(shù)字電壓表（1）量程0.2mV、2mV、20mV、200mV、2V
(2)測(cè)量誤差 0.2mV檔±（0.3%讀數(shù)+8字）
2 mV檔以上±（0.3%讀數(shù)+2字）
(3)輸入阻抗0.2mV、2mV擋105Ω
20mV檔以上>108Ω
(4)顯示3 1/2位數(shù)字顯示，0—1999
具有性和過(guò)載自動(dòng)顯示，小數(shù)點(diǎn)、單位自動(dòng)顯示
5． 恒流源：（1）電流輸出：直流電流0—100mA連續(xù)可調(diào)，由交流電源供給
（2）量程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA 五檔
（3）電流誤差：±（0.3%讀數(shù)+2字）
6．四探針測(cè)試探頭 （1）探頭間距：1mm (2)探針機(jī)械游率：±0.3%
(3) 探針：Φ0.5mm (4)壓力：可調(diào)
7. 測(cè)試架：
（1）手動(dòng)測(cè)試架：探頭上升及下降由手動(dòng)操作，可以用作軸向和斷面的單晶棒和硅片測(cè)試。
（2）電動(dòng)測(cè)試架：探頭的上升和下降由電動(dòng)操作，設(shè)有自動(dòng)控制器控制，探頭上升時(shí)間1S—99S可調(diào)，探頭下降時(shí)間1S—99S可調(diào)，壓力恒定可調(diào)（由砝碼來(lái)設(shè)定）同時(shí)設(shè)有腳踏控制裝置由腳踏開關(guān)控制探頭上下運(yùn)動(dòng)。
8.電流：220V±10% 50HZ或60HZ：率消耗<35W
9． 外形尺寸：電氣箱130×110×400mm
網(wǎng)址：www.51658042.com